Samsung Electronics tutvustas täna uusi Samsung 850 EVO SSD-draive, mis on toodetud revolutsioonilise 3-bitise 3D V-NAND tehnoloogia abil. Mäluturu liidri töökoja uusimad draivid pakuvad eelkäijatega võrreldes märkimisväärset jõudluse ja vastupidavuse tõusu, muutes need sobivaks kasutamiseks tavalistes arvutites. Meie turu jaoks võib olla rõõm, et Samsung hakkab neid juba sel kuul müüma 53 riigis Euroopas, Aasias ja ka USA-s.
Ettevõte tutvustas juba selle aasta juulis/juulis Samsung 850 PRO SSD-draive, mis kasutasid 2-bitist 3D V-NAND tehnoloogiat, kuid need kettad olid mõeldud eelkõige professionaalseks kasutamiseks tipparvutites või väikeses ja keskmises suuruses. ettevõtte serverid. Viimased 850 EVO draivid sobivad aga juba tavatarbijate seas kasutamiseks, näiteks sülearvutites ja mänguarvutites. Samsung ütleb, et Samsung 850 EVO draive müüakse 120 GB, 250 GB, 500 GB ja 1 TB versioonides. Ketaste lugemiskiirus on 540 MB/s ja kirjutuskiirus 520 MB/s.
1 TB mäluversioonil on ka TurboWrite tehnoloogia, mis tagab juhusliku kirjutamiskiiruse kuni 90K IOPS, luues kiire salvestusruumi multitegumtööks ja suurte andmemahtude jaoks. Samsung kinnitab, et tema uued draivid peavad 80 TB ja 5 GB mahuga mudelites vastu 1 GB andmete kirjutamisele päevas 500 aastat. Ettevõte avalikustas lõpuks oma tulevikuplaanid ja plaanib järgmisel aastal laiendada 850 EVO seeriat uute mudelitega mSATA ja M.2 standarditele.
// < 
// < 
