Sule kuulutus

20nm-4Gb-DDR3-03Samsung Electronics teatas, et alustas just mobiilseadmetele mõeldud uute 6Gb LPDDR3 RAM-moodulite masstootmist. Ettevõte hakkab tootma uusi operatiivmälusid 20-nm tootmisprotsessi abil, mis väljendub 10% väiksemas energiatarbimises ja kuni 30% jõudluse kasvus. Nende mälumoodulite iga viigu edastuskiirus on 2,133 Mb/s.

Kiibid on ka 20% väiksemad võrreldes eelmiste moodulitega, kui arvestada neljast kõrvuti asetsevast mälumoodulist koosneva komplektiga. Neljast mälumoodulist koosnev komplekt suudab seega varustada telefoni 3 GB muutmäluga, kuna iga mälumoodul annab 768 MB mälu. Siit on näha, et Samsungil on tipptasemel 3 GB muutmälu limiidile ärgata ilmselt veelgi pikem aeg ja alles millalgi järgmise aasta lõpus saame hakata fantaseerima sellest, et meie mobiil telefonidel on sama palju töömälu kui meie arvutites.

// 20nm-4Gb-DDR3-01

//

*Allikas: Sammyhub

Tänase päeva loetuim

.