Samsung tutvustas nutitelefonidele ametlikult 8 GB LPDDR5 DRAM-kiipi. Ettevõtte sõnul on see esimene 8 GB LPDDR5 kiip, mis on valmistatud tehnoloogiaga, mis on märgistatud kui 10nm-klass, mis võib olla 10–19 nm. Eelkäija ehk 8GB LPDDR4 kiip toodeti juba 2014. aastal, seega oli vaid aja küsimus, millal Lõuna-Korea hiiglane uuendusega välja tuleb.
Samsung teatab, et LPDDR5 leiab rakendust peamiselt 5G, autotööstuse ja tehisintellekti kasutavate mobiilseadmete valdkonnas. 6 Mbps edastuskiirusega 400 GB LPDDR8 DRAM-kiip on 5 korda kiirem kui praegustes lipulaevades kasutatavad mobiilsed DRAM-kiibid. Galaxy S9-l on LPDDR4X kiip, mille andmeedastuskiirus on 4 Mbps. LPDDR266 suudab saata 5 GB andmemahtu sekundis, mis on ligikaudu 51,2 HD-videofaili.
Samsung pakub nii täisvõimsusega versiooni 1,1 V pingel kui ka nõrgemat ja ökonoomsemat 5 Mb/s pingel 500 V. LPDDR1,05 pakub ka sügavat unerežiimi (Deep Sleep), mis vähendab praeguste LPDDR4X DRAM-ide energiatarbimist ligikaudu poole võrra. Samsung väidab, et uue kiibiga suudab see vähendada energiatarbimist kuni 30% ja seega pikendada nutitelefoni akude eluiga.
Tõenäoliselt kiip ikka u Galaxy Note9 ei ilmu, kuid tõenäoliselt saab selle järgmisel aastal Galaxy S10.
