Praha, 20. märts 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., maailma juhtiv arenenud mälutehnoloogia, tutvustab mobiilseadmetele mõeldud suure jõudlusega 128 GB 3-bitist NAND-salvestust, mis põhineb sisseehitatud multimeediatehnoloogialCard (eMMC) 5.0. Nutitelefonide lipulaevad on juba üle minemas 128 GB mälule, mis põhineb Universal Flash Storage (UFS) 2.0 või EMMC 5.1 standarditel. Samamoodi saavad isegi keskklassi nutitelefonid nüüd oma võimsust suurendada 128 GB tänu uuele hoidlale Samsungi 3-bitine NAND eMMC 5.0. Sellel mälukiibil on suurim võimsus eMMC 5.0 standardi piires.
„Meie NAND-põhise 3-bitise eMMC 5.0 seeria turuletoomisega loodame olla teejuhiks suure võimsusega mobiilse salvestusruumi laiendamisel. Jätkame oma parema jõudluse ja suurema võimsusega mobiilse mälu pakkumise arendamist, et rahuldada klientide kasvavat nõudlust kogu mobiiltelefonitööstuses. ütles dr. Jung-Bae Lee, Samsung Electronicsi mälutoodete planeerimise ja rakenduste projekteerimise meeskonna vanem asepresident.
Järjestikune lugemine Samsungi uue 128 GB eMMC 5.0 salvestusruumi andmed töötavad kiiresti 260 MB / s. See on sama jõudlus kui NAND-põhisel MLC eMMC 5.1 mälul. Juhusliku lugemise ja kirjutamise jõudlus je 6000 IOPS, vastavalt 5000 IOPS, mis on piisavalt kiire kõrglahutusega videote ja täiustatud multitegumtöötluse funktsioonide toetamiseks. Võrreldes väliste mälukaartidega on need lugemis- ja kirjutamiskiirused ca 4 korda a 10 korda kõrgem.
Uus 3-bitine eMMC 5.0 seeria laiendab Samsungi äritegevust alates andmekeskuste, serverite ja arvutite SSD-de tarnimisest kuni kogu mobiilse salvestusruumi turule. Samsung jätkab 3-bitiste NAND Flash-mälude tutvustamist suure jõudlusega ja suure võimsusega lahenduste arendamise kaudu, samuti jätkab oma mälutehnoloogia äritegevuse konkurentsivõime tugevdamist.
//
//
