Tänasel päeval valmistub Samsung alustama ülikiire UFS 2.0 NAND välkmälu tootmist, mida kavatseb kasutada oma tulevases lipulaevas Samsung Galaxy S6. Seni kasutati eMMC NAND Flash mälutehnoloogiat, mis suutis saavutada edastuskiiruseks 400 MB/s. Mälu jääb aga tänu uuele teise põlvkonna UFS-tehnoloogiale telefonidesse Galaxy S6 on võimeline saavutama edastuskiirust kuni 1.2 GB/s, st kolm korda suuremat kiirust.
See väljendub loomulikult suurte failide edastamisel, näiteks 4K-videote edastamisel LTE-A ühenduse abil. Lisaks pakub tehnoloogia võrreldes eMMC 5.0-ga kuni 50% väiksemat tarbimist, mis mõjutab positiivselt uue telefoni aku kestvust. Samsung plaanib seda tehnoloogiat kasutada ka oma SD- ja microSD-kaartidel ning ilmselt teeb sellega juba kõvasti tööd. UFS-i välkmälu plaanib kasutada ka Samsungi peamine Hiina rivaal Xiaomi ning tundub, et selle vastu hakkavad huvi tundma ka Toshima, Hynix ja Micron. Lisaks on Samsung tänu UFS-tehnoloogiale sunnitud kasutama microUSB 3.0 porti, kui soovib kasutada edastuskiirust failide ülekandmisel arvutist mobiiltelefoni ja vastupidi.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190};
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190};
*Allikas: ETNews
