Samsung alustas täna oma uute DDR3 DRAM-moodulite masstootmist, kasutades 20 nanomeetrist tootmisprotsessi. Nende uute moodulite maht on 4Gb ehk 512MB. Üksikute moodulite saadaolev mälu ei ole aga nende peamine omadus. Edasiminek seisneb just uue tootmisprotsessi kasutamises, mille tulemuseks on kuni 25% väiksem energiakulu võrreldes vanema, 25 nanomeetrise protsessiga.
Üleminek 20 nm tehnoloogiale on ühtlasi viimane samm, mis eraldab ettevõtte 10 nm protsessi kasutavate mälumoodulite tootmise alustamisest. Praegu uute moodulite jaoks kasutatav tehnoloogia on ka kõige arenenum turul ja seda saab kasutada mitte ainult arvutite, vaid ka mobiilsete seadmetega. Arvutite puhul tähendab see, et Samsung suudab nüüd luua sama suurusega, kuid oluliselt suurema töömäluga kiipe. Samsung pidi ka oma olemasolevat tehnoloogiat muutma, et oleks võimalik muuta kiibid väiksemaks, säilitades samas praeguse tootmismeetodi.
- Teid võivad huvitada: Samsung on välja töötanud esimese 8Gb LPDDR4 mobiilse DRAM-mälu
