Praha, 7. jaanuar 2014 – Samsung, maailma juhtiv mälutehnoloogia ja -tootmine, tutvustas esimest 8Gb mobiilne mälu DRAM s madal energiatarve LPDDR4 (madala võimsusega kahekordne andmeedastuskiirus 4).
"See uue põlvkonna LPDDR4 DRAM aitab oluliselt kaasa globaalse mobiilse DRAM-i turu kiiremale kasvule, mis varsti moodustab suurima osa kogu DRAM-i turust,” ütles Samsung Electronicsi mäluosakonna äri- ja turunduse asepresident Young-Hyun May. "Püüame olla teistest tootjatest pidevalt sammu võrra ees ja jätkame kõige arenenumate mobiilsete DRAM-ide kasutuselevõttu, et ülemaailmsed tootjad saaksid uusi mobiilseadmeid turule tuua võimalikult lühikese aja jooksul.,” lisas Young-Hyun May.
Tänu oma funktsioonidele, nagu suurem mälutihedus, kõrge jõudlus ja energiatõhusus, võimaldavad Samsungi DRAM LPDDR4 mobiilimälud lõppkasutajatel kasutada edasijõudnud rakendused kiiremini ja sujuvamalt ja ka nautida suurem eraldusvõime kuva väiksema akukuluga.
Tootmisel on uued Samsungi DRAM LPDDR4 mobiilimälud mahuga 8Gb 20nm tootmistehnoloogia ja pakub ühe kiibi mahtu 1 GB, mis on hetkel DRAM-mälude suurim tihedus. Nelja kiibiga, millest igaühe maht on 8 Gb, tagab üks ümbris 4 GB LPDDR4, mis on kõrgeim saadaolev jõudluse tase.
Lisaks kasutab LPDDR4 madalpinget Madalpinge kõikumisega lõppenud loogika (LVSTL) I/O liides, mille Samsung algselt disainis JEDECi jaoks. Uued kiibid saavutavad edastuskiirused kuni 3 Mbps, mis on kaks korda suurem kui praegu toodetavate LPDDR3 DRAM-ide kiirus. Samas, samal ajal tarbib umbes 40% vähem energiat pingel 1,1 V.
Uue kiibiga plaanib Samsung keskenduda mitte ainult esmaklassilise mobiiliturule, sh UHD nutitelefonid suure ekraaniga, aga ka sisse lülitatud tabletid a üliõhukesed sülearvutid, mis pakuvad täis-HD eraldusvõimest neli korda kõrgemat ekraani ja ka kõrget võimsad võrgusüsteemid.
Samsung on juhtiv mobiilsete DRAM-tehnoloogiate arendaja ning 4Gb ja 6Gb LPDDR3-ga mobiilse DRAM-i turuliider. Ettevõte alustas kõige õhema ja väikseima 3GB LPDDR3 (6Gb) pakkumist novembris ning tutvustab uut 8Gb LPDDR4 DRAM-i aastal 2014. 8Gb mobiilne DRAM-kiip laieneb väga kiiresti järgmise põlvkonna mobiilseadmete turul, kasutades suure võimsusega DRAM-kiipe.
